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半导体技术杂志投稿论文要求

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半导体技术

半导体技术

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期刊周期:月刊
国内统一刊号:13-1109/TN
国际标准刊号:1003-353X
主管单位:信息产业部
主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
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  《半导体技术》简介

  《半导体技术》(月刊)1976年创刊,以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。"向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场,提供技术成果展示、转化和技术交流的平台,达到了促进我国半导体技术不断发展的目的"是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。趋势与展望:全面阐述半导体技术与应用的发展趋势;专题报道:每期就设计、生产、应用等企业关注的热门技术及焦点论题,进行有深度、广度的全面剖析;器件制造与应用:半导体器件的设计和制造及在各种领域中的应用;工艺技术与材料:介绍最新的半导体技术制作工艺和该领域用的新材料;集成电路设计与开发:各种IC的设计和应用技术、设计工具及发展动向;封装、测试与设备:介绍器件、芯片、电路的测试、设备和封装的前沿技术;MEMS技术:现代管理:半导体代工厂、洁净厂房、半导体用水及气体、化学品,等管理技术;综合新闻:及时发布世界各地半导体最新产品及技术信息。《半导体技术》的稿件来源于全国各主要研究机构、大专院校和企事业单位等。《半导体技术》主管单位:信息产业部,主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所,国内统一刊号:13-1109/TN,国际标准刊号:1003-353X

  《半导体技术》栏目设置

  趋势与展望、专题报道、应用长廊、设计与开发、支撑技术、新品推荐。

  2016 年01期《半导体技术》杂志论文目录表:

  GaZnO透明导电层提高绿光LED发光效率 ……………………………………张李骊;刘战辉;钟霞;修向前;张荣;谢自力;

  电子束辐照GaN基LED的能量沉积研究 ……………………………………牛萍娟;吴英蕾;于莉媛;朱文睿;薛卫芳;

  TSV三维集成的缺陷检测技术 ……………………………………陈鹏飞;宿磊;独莉;廖广兰;史铁林;

  新型无损IGBT短路耐性测试电路 ……………………………………黄建伟;刘国友;余伟;罗海辉;朱利恒;覃荣震;

  用热反射测温技术测量GaNHEMT的瞬态温度…………………………………… 翟玉卫;梁法国;郑世棋;刘岩;李盈慧;

  《半导体技术》投稿须知

  1.内容:立意新颖,观点明确,内容充实,论证严密,语言精炼,资料可靠,能及时反映所研究领域的最新成果。本刊尤为欢迎有新观点、新方法、新视角的稿件和专家稿件。

  2.格式必备与顺序:标题、作者、作者单位、摘要、关键词、正文、注释或参考文献。篇幅以2200-8800字为宜。2200字左右为1个版面。

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